率場效應(yīng)管測(cè)試儀，是種新穎的數(shù)字顯示式率場效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電約在2-85A，率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵開啟電壓VGS（th）和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電測(cè)試法，即使在大電測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件成何損壞，更可以在大電狀態(tài)下對(duì)場效 應(yīng)管行參數(shù)致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電等的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安方便。

場效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀主要測(cè)試能 　
　　　 1、率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　
　　　 2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
　　　　 3、率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的意電狀態(tài)下致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。
　　　　 4、對(duì)其它更大電和率的場效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。
　　　 　5、各類晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
　　　　 6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
測(cè)試盒與測(cè)試線
　　　　 1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的率場效應(yīng)管和IGBT。
　　　 　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的率場效應(yīng)管和IGBT。